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Siフォトダイオード
CP0174ALは、可視光から近赤外光まで（400nm～1000nm）のレーザやLEDの光量をモニタするためのシリコン・フォトダイオードです。
COB-2PIN（2.2mm×1.22mm）パッケージの採用により、ピコプロジェクターなどの小型な光学ユニットに最適です。
| パッケージ | 2.2mm×1.22mm×1.0mm COB-2ピン |
|---|---|
| 感度 | 0.26A/W ＠405nm，0.44A/W＠700nm |
| 帯域 | 400nm～1000nm |
| 受光部サイズ | 0.7mm×0.7mm |
| 半田リフロー | 対応 |
| ハロゲンフリー | 対応 |
| 鉛フリー | RoHS対応 |
可視光～近赤外光の光量測定
レーザー光のオートパワーコントロール
レーザー/ＬＥＤ光源のピコプロジェクター等
量産出荷中
Si-アバランシェフォトダイオード
レーザー距離計等に使われているλ＝635nm レーザーの光検出用Si-アバランシェフォトダイオード(Si-APD)です。
表面実装COB パッケージを採用し、低バイアス対応のためポータブル機器に対応が可能です。
降伏電圧の温度変化とバラツキが⼩さく、使いやすいSi-APD です。
|
受光部直径 |
200 μm（形状、寸法をカスタム可能） |
|---|---|
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降伏電圧(typ.) |
100 V |
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降伏電圧範囲 |
85 V〜115 V |
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降伏電圧温度係数 |
0.37 V/℃ |
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635nm 感度@M=100 |
34.4 A/W |
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暗電流@M=100 |
0.08 nA |
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端子間容量@M=100,f=1MHz |
0.64 pF |
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波⻑範囲 |
400 nm-1100 nm |
開発中
詳細はこちら(PDF)
※開発中の商品につき、仕様は予告なく変更する場合がございます。
