光センサ

光センサ

Si-アバランシェフォトダイオード

Si-APD

製品名

Si-アバランシェフォトダイオード

概要

レーザー距離計等に使われているλ=635nm レーザーの光検出用Si-アバランシェフォトダイオード(Si-APD)です。
表面実装COB パッケージを採用し、低バイアス対応のためポータブル機器に対応が可能です。
降伏電圧の温度変化とバラツキが⼩さく、使いやすいSi-APD です。

特長

  • 降伏電圧バラツキが⼩さい    ︓ 100 V±15 V
  • 降伏電圧の温度変化が⼩さい   ︓ 0.37 V/℃
  • 必要なバイアス電圧が低い    ︓ Typ.100V
  • 表面実装COB パッケージを採用

仕様

受光部直径

200 μm(形状、寸法をカスタム可能)

降伏電圧(typ.)

100 V

降伏電圧範囲

85 V〜115 V

降伏電圧温度係数

0.37 V/℃

635nm 感度@M=100

34.4 A/W

暗電流@M=100

0.08 nA

端子間容量@M=100,f=1MHz

0.64 pF

波⻑範囲

400 nm-1100 nm

アプリケーション

  • レーザー測距計等

開発状況

開発中

詳細はこちら(PDF)

※開発中の商品につき、仕様は予告なく変更する場合がございます。