Si-アバランシェフォトダイオード
レーザー距離計等に使われているλ=635nm レーザーの光検出用Si-アバランシェフォトダイオード(Si-APD)です。
表面実装COB パッケージを採用し、低バイアス対応のためポータブル機器に対応が可能です。
降伏電圧の温度変化とバラツキが⼩さく、使いやすいSi-APD です。
受光部直径 |
200 μm(形状、寸法をカスタム可能) |
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降伏電圧(typ.) |
100 V |
降伏電圧範囲 |
85 V〜115 V |
降伏電圧温度係数 |
0.37 V/℃ |
635nm 感度@M=100 |
34.4 A/W |
暗電流@M=100 |
0.08 nA |
端子間容量@M=100,f=1MHz |
0.64 pF |
波⻑範囲 |
400 nm-1100 nm |
開発中
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※開発中の商品につき、仕様は予告なく変更する場合がございます。