MBE

テラヘルツ発生・検出チップ

製品名

PCA(テラヘルツ発生・検出チップ：CEEシリーズ)

概要

GaAs基板を使ったテラヘルツ波用アンテナです。
本シリーズは、LT-GaAs(低温成長GaAs)上にテラヘルツ波用アンテナパターンを形成したテラヘルツ波発生/検出チップです。

特長

• 分光分析やテラヘルツイメージングに使用可能
• 広帯域、高感度、高S/Nの実現による分析精度の向上や測定時間の短縮、励起レーザーの長寿命化
• チップ販売およびモジュールでのご提供が可能
• チップ形状やアンテナ形状の変更も可能

開発状況

量産中

LT-GaAs PCA の詳細はこちら(PDF)

InGaAs PCA の詳細はこちら(PDF)

その他の化合物半導体製品はこちら(PDF)

PCA モジュールの詳細はこちら(PDF)

THz-TDSの詳細はこちら(PDF)

量子ドットレーザー

製品名

量子ドットレーザー

概要

GaAs基板を使った量子ドットレーザーです。

特長

温度による出力変動が小さく、様々な分野への展開が可能

開発状況

開発中

ウエハ販売

MBE装置を使った、化合物半導体ウエハや量子ドットウエハの作製を承ります。
カスタム製造も承りますので、ご相談ください。

詳細はこちら(PDF)